型号:SP8K4TB | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 17 毫欧 @ 9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 21nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1190pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司 | 孙小姐/李先生/钱先生0532-87557828 |
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